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Laser grade
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窒化物系エビ基板

GaAs基板

Laser grade
LED grade
Semi-insulating

Laser grade
GaASウェハ VGF レーザーグレード 標準仕様
結晶成長法 VGF(Vertical Gradient Freezing)法
ドーパント、導電型 N型:Siドープ
キャリア濃度 N-type 0.5-4×1018 cm-3
(上記範囲内での調整可能)
Dislocation Density (EPD) (平均) Typical Grade <500cm-2
(上限) Typical Grade <2000cm-2
サイズ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 100.0±0.1 76.0±0.1
76.2±0.1
50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 450-625
±15
350-600
±15
300-450
±15
オリフラ (mm) ご要望に応じ、OFのヘキ開も可

長さ(主)
   (副)

32.5±1.0
18.0±1.0
22.0±1.0
12.0±1.0
16.0±1.0
8.0±1.0
位置(主)
位置(副)

EJ (Dove-Tail)、(0-1-1)±0.5°*、(0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)、(01-1)±0.5°*、(011)±0.5°

±0.05°(*Cleaved)

外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp(μm)
<5.0
<10.0
<5.0
<10.0

<5.0
<10.0

面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ
ミラー加工も可
表面処理 エピレディ
レーザーマーク オプション
梱包形態 フロロウェアー個装
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LED grade
GaASウェハ VGF LEDグレード 標準仕様
結晶成長法 VGF(Vertical Gradient Freezing)法
ドーパント、導電型 N型:Siドープ
キャリア濃度 N-type 0.5-4×1018 cm-3
(上記範囲内での調整可能)
Dislocation Density (EPD) (上限) Typical Grade <5000cm-2
サイズ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
直径 (mm) 100.0±0.2 76.0±0.2
76.2±0.2
50.0±0.2
50.8±0.2
厚さ (μm) 350-625
±20
300-600
±20
250-350
±20
オリフラ (mm)  

長さ(主)
   (副)

32.5±1.0
18.0±1.0
22.0±1.0
12.0±1.0
16.0±1.0
8.0±1.0
位置(主)
位置(副)

EJ (Dove-Tail)、(0-1-1)±0.5°*、(0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove)、(01-1)±0.5°*、(011)±0.5°

外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
Warp(μm)
<10.0
<15.0
<10.0
<15.0

<10.0
<15.0

面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ラップ後エッチ
表面処理 エピレディ可
レーザーマーク オプション
梱包形態 フロロウェアー個装
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Semi-insulating
LEC GaAsウェハ 半絶縁性 標準仕様
結晶成長法 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski )法
ドーパント、導電型 半絶縁性型 : (ノンドープ (または Cドープ))
抵抗率 (25℃) 1-5×107 Ω cm
ご要望に応じて、高抵抗品のご対応も可
Dislocation Density (EPD) (Average) <105 cm-2
サイズ 4インチ 3インチ 2インチ
面方位 1. (100)±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110)
3. ご要望に応じます。
直径 (mm) 100.0±0.1
76.0±0.1
76.2±0.1
50.0±0.1
50.8±0.1
厚さ (μm) 450-625
±15
350-625
±15
300-450
±15
オリフラ (mm)  

長さ(主)
   (副)

32.5±1.0
18.0±1.0
22.0±1.0
12.0±1.0
16.0±1.0
8.0±1.0
位置(主)
位置(副)

EJ (Dove-Tail) (0-1-1)±0.5° (0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove) (01-1)±0.5° (011)±0.5°

外周加工 べべル
加工精度 TTV(μm)
TIR(μm)
Warp(μm)
LTV(μm)
*
<3.0
<3.0
<5.0
<1.0
15 × 15 mm

<3.0
<3.0
<5.0
<1.0
15 × 15 mm

<5.0
<3.0
<8.0
-
 

面仕上げ 表面 ミラー
裏面 ミラー ラップ後エッチ
表面処理 MOCVDおよびMBE用途のお客様にはエピレディ対応も可
レーザーマーク オプション
梱包形態 25枚入りウェハボックス もしくは フロロウェア個装
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