| 結晶成長法 |
LEC(Liquid Encapsulated Czochralski )法 |
| ドーパント、導電型 |
半絶縁性型 : (ノンドープ (または Cドープ)) |
| 抵抗率 (25℃) |
1-5×107 Ω cm
ご要望に応じて、高抵抗品のご対応も可 |
| Dislocation Density (EPD) |
(Average) <105 cm-2 |
| サイズ |
4インチ |
3インチ |
2インチ |
| 面方位 |
1. (100)±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110)
3. ご要望に応じます。 |
| 直径 |
(mm) |
100.0±0.1
|
76.0±0.1
76.2±0.1 |
50.0±0.1
50.8±0.1 |
| 厚さ |
(μm) |
450-625
±15
|
350-625
±15
|
300-450
±15 |
| オリフラ |
(mm) |
|
|
長さ(主)
(副) |
32.5±1.0
18.0±1.0
|
22.0±1.0
12.0±1.0
|
16.0±1.0
8.0±1.0 |
位置(主)
位置(副) |
EJ (Dove-Tail) (0-1-1)±0.5° (0-11)±0.5°
又は、
SEMI US (V-Groove) (01-1)±0.5° (011)±0.5°
|
| 外周加工 |
べべル |
| 加工精度 |
TTV(μm)
TIR(μm)
Warp(μm)
LTV(μm)
* |
<3.0
<3.0
<5.0
<1.0
15 × 15 mm |
<3.0
<3.0
<5.0
<1.0
15 × 15 mm
|
<5.0
<3.0
<8.0
-
|
| 面仕上げ |
表面 |
ミラー |
| 裏面 |
ミラー ラップ後エッチ |
| 表面処理 |
MOCVDおよびMBE用途のお客様にはエピレディ対応も可 |
| レーザーマーク |
オプション |
| 梱包形態 |
25枚入りウェハボックス もしくは フロロウェア個装 |